Найти книгу: "Люминесценция полупроводниковых кристаллов"

В учебном пособии рассмотрены различные типы излучательной рекомбинации в легированных полупроводниковых кристаллах. Приведены основные теоретические модели, описывающие электронную структуру и оптические свойства полупроводниковых кристаллов, содержащих примеси, анализируются результаты некоторых экспериментальных исследований люминесценции полупроводниковых кристаллов. Пособие рассчитано на студентов и аспирантов, специализирующихся в области оптики твердого тела.

Рассмотрены аварийные режимы работы полупроводниковых устройств и требования, предъявляемые к системам их защиты. Описаны существующие виды аппаратов защиты, дан анализ факторов, определяющих защитные характеристики. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и эксплуатацией полупроводниковых устройств и аппаратов защиты для них.

Книга предназначена для студентов радиотехнических факультетов вузов по курсам "Основы расчета транзисторных устройств и Электронные усилители" В учебном пособии рассмаориваются общие методы анализа усилительных схем на полупроводниковых триодах и расчет основных классов усилителей.

В книге описаны процессы воздействия на твердое тело электронных, ионных и оптических пучков, применяемые в микроэлектронике для травления диэлектриков, полупроводников, металлов, и нанесения их тонких слоев на подложки различными методами. Приведены сведения по ионной имплантации и моле-кулярно-лучевой эпитаксии, подгонке сопротивления резисторов и емкости конденсаторов, разделению материалов, сварке, стимулированию травления, отжигу и закалке. Рассмотрено технологическое оборудование

В книге описана сборка полупроводниковых приборов и ИМС: монтаж кристаллов, присоединение электродных выводов и герметизация. Даны теоретические основы наиболее широко применяемых при сборке процессов пайки и сварки. Рассмотрено современное сборочное оборудование, его принцип действия, устройство и обслуживание

В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин и эпитаксиалъного наращивания, приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, показаны последовательность и особенности выполнения операций, методы контроля параметров процессов и получаемых слоев.